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4MHZ的晶振主要参数有哪些

发布时间:2019-07-15 12:33 来源:未知 编辑:admin

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  2007年毕业于兰州大学管理学院行政管理专业,学士学位。工会工作5年从业经历;档案工作7年从业经历。

  2、晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

  调整频差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。

  温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。

  老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。(具体可查看YXC扬兴官网《晶振老化?你说咋办呢?》的相关介绍)。

  负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示。(具体可查看YXC扬兴官网《晶振该如何选用电容?》的相关介绍)。

  负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。

  激励电平:晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

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